7最近有网友给我留言说,现在美国和台积电是合作伙伴,芯片工艺到了3nm,而中芯国际只有14nm,差距很大。要是打起来,那武器岂不是会落后很多?因为一个采用3nm芯片,一个采用14nm芯片,芯片工艺越先进,性能越强,武器的威力就越大。
说真的,很多人可能会有这样的疑问,因为在过去,这些晶圆厂都声称先进的技术可以带来更高的性能和更低的功耗,
但是,这一般只针对消费类芯片。
比如3nm的手机芯片,确实比14nm的手机芯片好。不信你拿苹果A15和苹果A9对比一下,A15直接碾压A9。
为什么要改进芯片的工艺?原因是工艺改进后,同样尺寸的芯片性能更高,功耗更低。请注意此前提条件。
芯片的性能最终取决于其中晶体管的数量。晶体管代表逻辑开关。逻辑开关越多,性能越强。
如果不考虑芯片尺寸的话,只要在20nm芯片中插入比3nm更多的晶体管,20nm芯片的性能就可以超过3nm芯片,但是20nm芯片的体积会比3nm芯片大很多3纳米芯片。
因此,技术并不是决定性能的唯一标准。只是在手机中,由于内部空间有限,需要小体积、强性能来不断升级技术。
军用级产品其实不太在意尺寸。如果真的要做到高性能,可以把芯片做大,采用20nm甚至40nm的工艺,同样可以做到高性能。这不是每个人都关心的问题。
事实上,军事武器需要的芯片并不追求性能,而是稳定性和可靠性。
在军事武器中,需要综合计算能力的CPU、Soc等通用芯片较少,而ASIC、FPGA、ASSP等专业芯片较多。
这些芯片专注于执行某个命令,不需要太多的性能,只要稳定可靠即可。实验表明,技术越先进,稳定性越差。技术越落后,稳定性越好。我不相信你看月球车。为了稳定,还是用130nm的芯片。
从全球范围来看,65nm和90nm芯片目前应用于大部分军工武器和战机。例如,在俄乌冲突中,大量使用的武器、飞机和坦克的芯片是90nm和65nm。
所以我们不用担心芯片技术,这让我们在军事武器上落后了。
另外,我想告诉你一个秘密。虽然我们没有EUV光刻机,但是我们其实还有另外一种设备——电子束光刻机。它的功能与光刻机非常相似。该芯片可通过高能电子束曝光制成,加工精度可达10纳米以下。中国用这个设备和中国目前先进的制造工艺生产的超导量子芯片,就是用这个机器生产出来的。
只是它的效率很低,所以无法大规模生产芯片。但是,少量生产是没有问题的。军事武器不惜一切代价生产,也不会大规模生产。所以即使真的要生产10nm以下的芯片,也是可以实现的。别担心。https://store.stoneitech.com/